물2 트랜지스터 질문
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물2 준비하고 있는 현역학생입니다. 트랜지스터 공부 중에 도저히 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.
완자 물2 167쪽
수특 물2 120쪽 3번 문항
배기범 필수본 120쪽 예제 문항
위의 세 문항의 경우 공통적으로 전류증폭률이 동일하다는 것을 이용해 풀이합니다. 따라서 베이스전류 I_B를 구하는 과정이 필요합니다. 이 과정에서 풀이중 베이스에 저항이 연결되어 있음에도 전압강하를 고려하지 않고 베이스 전류를 구하고 있습니다. 그러나 다른 유형에서는 또 달랐습니다.
완자 물2 173쪽 3번 문항
수완 물2 65쪽 1번 문항
위의 두 문제에서는 앞의 3문제와는 달리 회로의 연결지점이 더 아래에 있고 컬렉터에도 저항이 연결되어 있다는 사실외에는 차이가 없는 것으로 보입니다. 그러나 위의 두문제는 컬렉터와 베이스에 연결된 저항으로 인한 전압강하를 고려해 문제를 풀어야합니다. 이 두 유형의 차이가 무엇일까요?
추가적으로 전류증폭률을 결정하는 인자가 무엇인가요? 검색해보면 도통전압과 포화전압을 통해 설명하는 듯한데 잘 이해가 가지 않습니다. Vcb와 Vbe사이의 대소관계도 증폭에 영향을 미치는 것인가요?
완자 물2 190쪽 9번 문항
혹시 그렇다면 위 문제에서 pnp 트랜지스터가 되어선 안되는 이유를 설명하는 것과 바이어스전압 Vbe의 범위와 관련이 있나요?
-요약
1) 베이스, 컬렉터에 연결된 저항의 전압강하를 고려해야하는 경우와 아닌 경우의 구분
2) 전류증폭률을 결정하는 인자의 존재 (Vbe를 바꿈으로 전류증폭률이 변화할 수 있는지 궁금)
3) 스위칭작용과 증폭작용이 원활히 일어나게 하는 바이어스전압 Vbe의 범위의 존재
혼자 공부하려니 너무 힘이 들어 가끔 보기만 하던 오르비에 처음으로 글을 올려봅니다. 시간 되신다면 함께 고민해주시면 감사하겠습니다.
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ebs 수특 교재 해설 정오표에서 전압강하 고려하도록 수정된 것으로 볼 때, 완자의 풀이가 틀린것 같고 항상 전압강하를 고려하면 되는 것 같습니다. 어차피 Vbe값은 공핍전위로 같을테니 저항값의 비에서 베이즈 전류의 비를 구한다는 것은 동일한 것이었네요.